半导体弧形封装激光器的特点与应用

  半导体激光器至诞生至现在已经有将近60年历史，1962年，R．N．霍耳等人创制了砷化镓半导体激光器，才真正开启了半导体激光的历程，时至今日半导体激光的应用及其封装技术还在探索阶段，目前为止半导体激光器主要分为线性封装，叠阵封装，以及环形弧面封装主要三大封装技术，在此基础上还有面阵以及激光光束整形技术！

  目前国外如CEO，rofin，FOBA等在弧面封装上都是有自己的独特的技术，比较普遍的做法就是在弧面上削出平面来铺设bar条，这样会比较浪费热沉的表面占比，使得激光器体积较大，而且功率较低；但是一直没用攻克的难关就是如何在真正的弧面热沉上铺设bar条来达到超高功率的输出，经过我公司十几年的技术积累，终于在激光环形弧面封装上达到了世界领先水准。其峰值功率可高达20KW，单脉冲能量可到1000mj，其中最大单脉冲能量可达10000mj，实现了真正意义上的激光功率大型化，激光体积小型化的特征。